【VLSI 2011レポート】 抵抗変化メモリの開発状況をSamsung、Hynix、ルネサスが一部公表(4/12)

ReRAM用記憶素子の構造。4層構造の例。TEはトップ電極、OELはスイッチング層(可変抵抗層)、SLはセルフコンプライアンス層(固定抵抗層)、BEはボトム電極