【IMW 2011レポート】 日本発の新型不揮発性メモリが相次いで登場
(5/8)
前の画像
この写真の記事へ
次の画像
B4フラッシュ技術の書き込み(プログラム)原理。GENUSION(ジェニュージョン)のWebサイトから引用
前の画像
この写真の記事へ
次の画像
関連記事
【2010年12月7日】【IEDM 2010レポート】2xnm世代の高密度大容量を実現したNANDフラッシュ技術
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20101207_412350.html
【2010年8月18日】IntelとMicron、3bit/セルの64Gbit NANDフラッシュをサンプル出荷
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20100818_387675.html