米Intelと米Micron Technologyは17日(現地時間)、1セルあたり3bitのNANDフラッシュメモリのサンプル出荷を開始したと発表した。2010年内の量産出荷を予定している。

　1つのメモリセルに3bitの情報を記録するTriple Level Cellを用いた容量64GbitのNANDフラッシュメモリ。Multi Level Cellの同容量の製品と比べて20%以上小型化されているという。ダイサイズは131平方mm。製造プロセスは25nm。

　Micronでは、大容量ストレージ製品を含めた最終製品への評価認定作業を開始している。