【Flash Memory Summit 2009】 次世代メモリ技術の開発意欲は衰えず
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STT-RAMメモリセルのデータ書き込み原理と基本特性
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【2009年5月22日】【元麻布】Unity Semiconductorの新不揮発メモリ技術
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/hot/20090522_169760.html
【2007年2月16日】フラッシュの置き換えを狙う次世代不揮発性メモリ
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/0216/isscc05.htm
