【VLSI 2009レポート】500Gbit/チップを目指す次世代不揮発性メモリの超高密度化技術
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多結晶シリコンダイオードのコンタクト抵抗の違い
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【2009年6月15日】【VLSI 2009レポート】22nmの量産を目指した半導体の開発成果を披露
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【2007年12月14日】【IEDM】次世代不揮発性メモリもマルチレベルを指向
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/1214/iedm06.htm
