【VLSI 2009レポート】500Gbit/チップを目指す次世代不揮発性メモリの超高密度化技術
(2/6)
前の画像
この写真の記事へ
次の画像
開発した相変化型メモリセルの構造(a)と断面写真(b)。(a)の赤い点線で切断した断面が(b)である
前の画像
この写真の記事へ
次の画像
関連記事
【2009年6月15日】【VLSI 2009レポート】22nmの量産を目指した半導体の開発成果を披露
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20090615_294046.html
【2007年12月14日】【IEDM】次世代不揮発性メモリもマルチレベルを指向
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/1214/iedm06.htm