ショックレーが考案した電界効果トランジスタの動作原理(左)と、バーディーンが指摘した、表面準位が電荷を捕獲することによるゲート電界の遮へい(右)。出所: 江崎玲於奈、「半導体デバイスの誕生と発展」、『日本学士院紀要―創立百年記念講演集』、pp.39-54、1979年
