標準的な3次元NANDフラッシュメモリの内部構造(左)と広帯域モジュール(HBF)向け3次元NANDフラッシュメモリの内部構造(右)。いずれも模式図。HBF向けではメモリセルアレイを数多くのブロックに分割して入出力数を1,024個と大幅に増やし、入出力帯域を高める。Sandiskが2025年7月に公表したHBFに関するファクトシートから
