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Si素子は高温環境下でリーク電流が増えるが、AlN素子は727℃以上でもリーク電流が抑えられる
東北大、350℃でも動作する高耐熱性半導体素子「酸化ガリウムダイオード」を開発
2019年10月21日
福田昭のセミコン業界最前線
「相変化メモリは熱に弱い」という常識を覆す高耐熱PCM技術
2019年5月23日