試作したテスト回路の構造(左上)と製造工程(左下)、抵抗変化記憶素子の断面を透過型電子顕微鏡(TEM)で観察した画像(右)。スタンフォード大学とNARLabsの共同研究グループが2016年のVLSIシンポジウムで発表した論文(論文番号T18-2)から
