セルキャパシタのアスペクト比に絶縁膜の比誘電率と膜厚が与える影響。横軸は技術ノード。縦軸はアスペクト比。比誘電率が40で膜厚が5.8nmの絶縁膜(直線、imecが以前に開発した技術)と比誘電率が120で膜厚が11nmの絶縁膜(点線、今回の技術)で比較した。今回の技術だと、ピラー型キャパシタでアスペクト比が大幅に低くなることが分かる。imecがIEDM 2018で発表した論文から

セルキャパシタのアスペクト比に絶縁膜の比誘電率と膜厚が与える影響。横軸は技術ノード。縦軸はアスペクト比。比誘電率が40で膜厚が5.8nmの絶縁膜(直線、imecが以前に開発した技術)と比誘電率が120で膜厚が11nmの絶縁膜(点線、今回の技術)で比較した。今回の技術だと、ピラー型キャパシタでアスペクト比が大幅に低くなることが分かる。imecがIEDM 2018で発表した論文から