セルトランジスタにおけるチャンネルの構造変化とセルレイアウトの変化。プレーナーチャンネルからリセスチャンネル、さらにはバーチカルチャンネルへと移行する。バーチカルチャンネル構造のトランジスタでは、ストレージノードコンタクト(SNC)とチャンネル、埋め込みビット線コンタクト(BBC)がほぼ一直線に並ぶ。リセスチャンネルでは必要な長さが「3F(Fは設計ルール)」だったのが、バーチカルチャンネルではわずか「1F」と3分の１に短くなる。SamsungがIEDM 2018のショートコースで講演したスライドから