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書き込み(PRG)動作および消去(ERS)動作による、電流電圧特性の変化。imecがIEDM2018で発表した論文から
3D NANDフラッシュは200層クラスの超高層化で2Tbitの超々大容量へ
2017年5月17日
連載福田昭のセミコン業界最前線
新材料の発見で「大逆転」を狙う強誘電体メモリ
2016年2月2日
福田昭のセミコン業界最前線
3D NAND技術の開発競争で東芝-WD連合とSamsungが激突
2018年2月26日
方向転換を迫られる強誘電体不揮発性メモリの研究開発
2019年12月23日