前の画像
次の画像
記事へ
プレーナ3D ReRAM技術(左)とバーチカル3D ReRAM技術(中央および右)の比較 出典: MicronのIEDM 2017講演スライド
福田昭のセミコン業界最前線
3D NANDが128TBの超大容量SSDを実現へ
2017年8月18日
3D NANDフラッシュは200層クラスの超高層化で2Tbitの超々大容量へ
2017年5月17日
連載福田昭のセミコン業界最前線
Intel-Micron連合が発表した“革新的な”不揮発性メモリ技術の中身
2015年7月30日
【IEDM 2017】従来の半分の積層数で1Tbitを実現可能な超高密度3D NANDフラッシュ技術
2017年12月20日