「InFO (Integrated Fan-Out WLP)」の概念。シリコンダイの外側にパッケージの入出力端子の領域を広げたことを特徴とする。外側の領域があることで、1,000ピンを超える入出力端子を処理可能にするとともに、マルチダイの搭載を実現し、受動素子を埋め込めるようにした。シリコンダイの入出力パッドからパッケージの入出力端子へと入出力信号を再配置する高密度な配線層は「再配線層(RDL: Re-Distribution Layer)」と呼ばれており、薄膜プロセスで形成する ※2015年5月にイスラエルで開催されたイベント「ChipEX 2015」でTSMCが発表した資料から