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48層から64層への変化。ワード線(ゲート層)を薄くするとともに、ワード線の間隔を狭くした(ゲート層間の絶縁膜を薄くした)。ISSCC 2017の講演スライドから
WD、世界初の512Gbit TLC 64層3D NANDをパイロット生産開始
2017年2月7日
連載福田昭のセミコン業界最前線
記憶容量拡大の階段を急速に駆け上がる3D NANDフラッシュ
2016年8月19日
3D NANDフラッシュは200層クラスの超高層化で2Tbitの超々大容量へ
2017年5月17日