産総研、MRAMのための高性能参照層を開発

　国立研究開発法人 産業技術総合研究所(産総研)は28日、不揮発性磁気メモリMRAMのための高性能参照層を開発したと発表した。

　MRAMではこれまで参照層にルテニウムを用いていたが、イリジウムに置き換えたところ、より強固な参照層特性が得られること分かった。また、要求される性能を達成できるスペーサー層の厚さの範囲が約2倍となったため、製造が容易になるとしている。