米IntelとMicron Technologyは12月6日(現地時間)、20nmプロセス技術に基づく128GbitのMLC NANDフラッシュメモリ2012年1月よりサンプル出荷開始する。

　世界で初めて20nmプロセスで製造される128GbitのNANDフラッシュセル。平面セル構造のNAND型フラッシュメモリとしては初めてHigh-Kメタルゲートを採用し、20nmプロセス技術特有の問題を克服、旧世代と同等の性能と信頼性を実現した。

　両社の合弁会社であるIM Flash Technologies(IMFT)は、このダイを8個使用し、1つのパッケージにスタックすることで、業界で始めて1Tbitのストレージを実現した。64Gbit品と比較して、2倍の容量と性能を実現したという。このほかにも2ダイ/4ダイ品をラインナップする。

　新製品の転送速度は333MT/secに達し、ONFI 3.0の規格に準拠。タブレット端末やスマートフォン、SSDなどにおいて費用対効果の高いストレージソリューションを実現できるとしている。

　また、2011年12月より20nmプロセスに基づく64GbitのNANDフラッシュメモリの量産を開始した。2012年には新しい128Gbit品に移行をすすめる計画。

　12月7日(日本時間)に都内で開かれた製品説明会では、Micron Director of Marketing, NAND Solutions GroupのKevin Kilbuck氏が概要について説明。新製品の投入により、大容量でなおかつ低価格なストレージを実現し、3DやHDコンテンツ、または革新的なソリューションが登場されることを期待した。

　なお、競合他社との比較では、20nmプロセス“世代”の製品は登場しているものの、20nmそのものを使用している製品はIntel/Micronのみとアピール。一方、今後のNANDフラッシュメモリのロードマップについては、プロセスの微細化のメドが立っていないこと、それと3次元にスタックすることで旧プロセスでも大容量化を実現できる3D NAND技術の開発などもあり、どうなるかは明言できないとした。

　なお、20nmプロセスのNANDは2012年初頭より量産開始していくが、当初は信頼性評価期間が必要ということもあり、メモリカードやUSBメモリが主流になるだろうとしている。20nmプロセスNANDを採用したSSDについては、2013年以降投入していくことを明らかにした。

Kevin Kilbuck氏	平面セル構造のNANDと3D NANDの比較	SSD製品のロードマップ