韓国Hynix Semiconductorは4日(現地時間)、2GbitのDDR4 DRAMおよびECC対応の2GB DDR4 SO-DIMMを開発したと発表した。製造プロセスは30nm台。DRAMはJEDECに準拠し、モジュールはマイクロサーバー向けに開発された。

　今回開発したDDR4 DRAMは、データ転送速度が2,400Mbpsで、DDR3から大幅に高速化された。モジュールの動作電圧は1.2Vで、DDR3から低下した。64bitインターフェイスでの転送レートは19.2GB/sec。

　Hynixは、2012年後半から量産する計画。