韓Hynixは8日(現地時間)、20nm級プロセスを採用した64GbitのNANDフラッシュメモリを増産開始したと発表した。

　2月に技術発表していたもので、これまでの30nm級プロセス/32Gbit品に比べ、生産性は6割、容量密度は2倍に向上した。

　また、同社はイスラエルのAnobitが開発したコントローラと30nm級32Gbit NANDフラッシュを組み合わせたメモリを製品化する。このコントローラの採用により、速度と信頼性が向上するとしている。今回発表した20nm級64Gbit品についても、9月よりこのコントローラと組み合わせた検証を行なう。