米Micron Technologyと台湾Nanya Technologyは8日(米国時間)、銅ベースの42nmプロセスを使用した、2GbitのDDR3メモリを開発したと発表した。2010年第2四半期中にサンプル出荷し、2010年下半期の量産を目指す。

　新しい製品は、駆動電圧を従来の1.5Vから、1.35Vに引き下げることで、消費電力を最大30%削減できるという。また、最大1,866Mbpsの転送速度と、モジュールあたり最大16GBの容量を実現する。

　両社は今後も、30nmクラスのプロセス技術の実現に向けて、銅ベースのプロセス微細化技術の開発を継続するとしている。