エルピーダメモリ株式会社は6日、台湾ProMOS TechnologiesとDRAM生産に関する委託契約を締結した。

　契約内容は、エルピーダがProMOSに先端DRAMプロセス技術と製品技術を提供。これによってProMOSの台湾にある300mmウェハファブで、エルピーダの1GbitのDDR3 SDRAMを製造する。製品の試作は2010年前半で、量産は2010年後半を予定している。

　ProMOSの社長兼会長のM.L.Chen氏は、「コスト競争力のあるエルピーダの1Gbit DDR3製品を、ProMOSの300mmライン運営における強みを活かし製造することにより、シナジー効果を生み出せる」と述べている。