韓国Samsung Electronicsは21日(現地時間)、業界初の40nmプロセスを採用した容量2GbitのDDR3を量産開始したと発表した。

　転送速度は最高1.6Gbpsで、駆動電圧は1.35V。新製品により、高密度と電力効率、高性能なメモリを必要とするアプリケーションのニーズに対応できるとしている。

　新チップを採用したメモリモジュールとして、Samsungはサーバー向けの4GB/8GB/16GBのRegistered DIMMと、最大4GBのデスクトップPC向けDIMMまたはノートPC向けSO-DIMMを製造する。

　調査会社「iSuppli」によると、2012年には2GbitのDDR3がDDR3 SDRAM市場の82%を占めるようになり、2010年にDDR3がメインストリームになるだろうとしている。