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試作した記憶素子の断面観察像。「a-GST」とあるのがアモルファス状態の領域、「c-GST」とあるのが結晶状態の領域。IBMチューリッヒ研究所の報道機関向け資料から
IBM、相変化メモリでセルあたり3ビットのマルチビット記録を実現
2016年5月18日
【ISSCC 2012レポート】相変化メモリが記憶容量でDRAMを追い抜く
2012年2月21日
【IEDM 2011レポート】再び活発になってきた大容量相変化メモリの開発競争
2011年12月7日