試作したReRAMセルの顕微鏡観察写真と構造図。左上(a)は、記憶素子を俯瞰した走査型電子顕微鏡観察像。TEはトップ(最上層)電極、BEはボトム(最下層)電極。左下(b)は記憶素子の断面を透過型電子顕微鏡で観察した写真。右上(c)は記憶素子の断面構造図。BE層は窒化チタン(TiN)で厚さは100nm、ガドリニウム酸化物層の厚さは5nm、キャップ層のHfの厚さは5nm、TE層のTiNの厚さは35nmである。BE層はタングステン(W)のプラグを介してトランジスタのドレインにつながる。右下(d)はメモリセルの回路構成。1個の記憶素子(図中の「RRAM」)と1個のトランジスタで構成されている ※IMW2016の講演論文から引用した