プレーナNANDフラッシュの限界に挑むSamsungの14nmチップ(11/11)

3D NAND技術とTLC技術による128Gbit NANDフラッシュメモリの主な仕様(製品の仕様ではない)。2015年のISSCCでSamsungが発表したもの