プレーナ型NANDフラッシュメモリにおけるメモリセル間の信号干渉が発生する仕組み。隣接するメモリセルの間が静電容量で電気的に結合していることが、信号の干渉を起こす。ISSCC 2016でMicron TechnologyとIntelが発表した講演(講演番号7.7)から
