SRAMの記憶密度を従来の5倍に高めるワントランジスタSRAMセル技術(10/11)

Intelが22nm技術で開発したeDRAMセルの顕微鏡観察写真(上)と回路図(下)。Intelが2013年のVLSIシンポジウムで発表した講演論文から