SRAMの記憶密度を従来の5倍に高めるワントランジスタSRAMセル技術(9/11)

チャージインジェクタ(CI)電圧が2Vの時の、ゲート電圧-ドレイン電流特性の測定結果。データ「1」を格納している時は、ドレイン電流が高い。Zeno Semiconductorほかの講演論文から