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Samsungの第3世代V-NAND。記憶容量は256Gbitで3bit/セルのMLCを48層積層する
Samsung、第2世代の128Gbit 3D NANDフラッシュの技術概要を公表
2015年3月5日
サンディスク、3bit TLCで48層の新3D NAND
2015年8月4日
連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース
Samsungが256G-bitの3D NANDチップで16TBのSSDを実現
2015年8月13日