前の画像
この写真の記事へ
次の画像
メモリセルアレイの立体構造(中央)とワード線抵抗のモニタリング(左)
連載福田昭のセミコン業界最前線
本格化する3D NANDフラッシュの量産競争
2015年4月1日
東芝-SanDisk連合の超高密度3D NANDフラッシュメモリ技術
2015年4月2日
Samsung、48層MLCの256Gbit V-NANDを生産開始
2015年8月12日
ついにベールを脱いだIntel-Micron連合の超大容量3D NAND技術
2015年12月10日
プレーナNANDフラッシュの限界に挑むSamsungの14nmチップ
2016年2月5日
