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保護層(キャップ層)の有無による高抵抗状態(HRS)でのばらつきの違い。韓国Samsung Electronicsの論文から(講演番号3-1)
パナソニック、ReRAM搭載マイコンを世界で初めて量産化
2013年7月30日
32Gbitの大容量抵抗変化メモリと128Gbitの大容量NANDフラッシュ
2013年2月21日
【VLSI 2012レポート】究極の大容量化技術を駆使する抵抗変化メモリ
2012年6月26日
【IMW 2016】imec、1兆サイクルの書き換えが可能なReRAM技術を開発
2016年5月25日