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MRAMのメモリセル。磁気トンネル接合(MTJ)と呼ぶデータ記憶素子と、メモリセルを選択するトランジスタ(選択トランジスタ)で1個のメモリセルを構成し、1bitのデータを記憶する
【MemCon 2013レポート】Samsungが考える次世代のメモリアーキテクチャ
2013年8月12日
連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース
半導体の技術トレンドが分かる国内のカンファレンス「COOL Chips XVI」
2013年3月27日
CMOSデジタル回路の次を狙うナノ磁気デジタル回路
2013年1月29日
製品化されたスピン注入メモリの技術概要をEverspinが公表
2013年1月21日
東芝、キャッシュ向けの低電力STT-MRAMを開発
2012年12月10日
東北大と京大、HDDの超高密度化が期待できる反強磁性体スピントルク磁気メモリを実証
2018年10月19日