前の画像
この写真の記事へ
次の画像
David Eggleston氏(Senior Vice President, Non-Volatile Memory Storage Division, Rambus)
Samsung、セルを3次元構造とした128Gbit NANDの量産を開始
2013年8月7日
連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース
DRAMスケーリングの課題と打開策
2014年12月4日