【VLSI 2012レポート】Intel、IBM、STMicroの最先端ロジック技術(10/13)

FD-SOIトランジスタ(n型FET)断面の透過型電子顕微鏡観察像。ゲート長は24nmとかなり短い。シリコン層の厚さは7nmときわめて薄い