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128Gbit NANDフラッシュメモリのシリコンダイ写真。シリコンダイ面積は170.6平方mm
32Gbitの大容量抵抗変化メモリと128Gbitの大容量NANDフラッシュ
2013年2月21日
東芝とSanDiskが75平方mmと小さな64Gbit NANDチップを開発
2015年3月4日
東芝とSanDisk、世界初の48層積層プロセス採用3次元フラッシュメモリ
2015年3月26日