RHBD技術を組み込んだ「ARM Cortex-R4」のFPGAボードに放射線を照射して不良発生率を測定しているところ。左が半導体チップに対して垂直(真上）に照射するセットアップ。右は半導体チップに対して斜めに照射するセットアップ。測定サイトは米国Texas A&M University(TAMU）のCyclotron Instituteである。DTRA RHM Programの資料から引用
