米国DTRA(国防脅威削減局)が進めている耐放射線性半導体チップ開発プロジェクト(DTRA RHM Program）では、90nm技術では「ARM Cortex-R4」と「Tilera Single Core」をRHBD技術の開発候補としている。目標仕様を見ると、放射線対策によってシリコンダイ面積が増加し、動作周波数が低下し、消費電力が増加することが分かる
