【IRPS 2011レポート】 NANDフラッシュメモリの基本動作と不良モード(14/21)

データ保持期間の概念。中央の浮遊ゲート(FG)から右のシリコン基板(Sub)に電子がトンネリングすることで、プログラム後のしきい電圧が徐々に低下していく