【IRPS 2011レポート】 NANDフラッシュメモリの基本動作と不良モード(13/21)

書き換えの繰り返し(W/E Cycles)による、しきい電圧の変化。左は電界緩和による変化、中央はゲート絶縁膜中の電子による変化、右は界面準位による変化