【IEDM 2010レポート】 2xnm世代の高密度大容量を実現したNANDフラッシュ技術(3/8)

IntelとMicronが共同開発した64Gbit NANDフラッシュメモリのシリコンダイ写真。縦方向にビット線、横方向にワード線が走っている