【VLSI 2010レポート】 次世代大容量磁気メモリの研究成果が相次ぐ(6/7)

試作したメモリセルの断面を透過型電子顕微鏡で観察した写真。上部磁性層が自由(Free)層のMTJと、固定(Pinned)層のMTJの両方を試作した