【VLSI 2010レポート】 次世代大容量磁気メモリの研究成果が相次ぐ(3/7)

1個のメモリセルに2bitを記録するSTT-RAMの原理。左は回路図。MTJは磁気トンネル接合(Magnetic Tunneling Junction)の略称で、磁気記憶素子のこと。右は2bit