中性子線照射によるソフトエラーの発生率。90nm技術、65nm技術、50nm技術のMLC NANDフラッシュメモリで比較した

中性子線照射によるソフトエラーの発生率。90nm技術、65nm技術、50nm技術のMLC NANDフラッシュメモリで比較した