【IRPS 2010レポート】 TIとRamtron、1.5Vの低い電圧で動く強誘電体メモリを共同で開発(5/10)

2T2C方式(左)と1T1C方式(右)における動作マージンの違い。当然ながら、2T2C方式の動作マージンが広い。ただし、シリコンダイ当たりの記憶容量は半分になってしまう