【IRPS 2010レポート】 TIとRamtron、1.5Vの低い電圧で動く強誘電体メモリを共同で開発
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FRAMメモリセルの断面構造図。赤く薄い板状の部分が強誘電体薄膜。その上の茶色の部分は銅配線層
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