Unity Semiconductorが開発している抵抗変化メモリセルの構造。CMOx技術と呼んでいる。導電性酸化物の薄膜に絶縁性酸化物の薄膜とセル選択素子用薄膜を重ねてその上下を金属電極層で挟んだ。同社が2009年8月に「Flash Memory Summit 2009」で講演した資料から引用
