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スピントルク注入タイプ磁気メモリ(MRAM)の読み出し動作における課題。富士通研究所のISSCC記者会見用資料から引用
32Gbitの大容量抵抗変化メモリと128Gbitの大容量NANDフラッシュ
2013年2月21日