東芝が考案した3次元構造のNANDフラッシュメモリセルアレイ。図中のSGは選択ゲート、CGは制御ゲート、PCはパイプ接続のこと。記憶方式はフローティングゲートではなく、電荷捕獲方式。この図には書いていないが、柱状シリコンの表面に酸化膜/窒化膜/酸化膜の3層構造を形成する
