IEDM 2019で発表されたN5プロセスのトランジスタオプションと、N7に対するエリアとスピードの比較。「5nm CMOS Production Technology Platform featuring full-fledged EUV, and High Mobility Channel FinFETs with densest 0.021μm2 SRAM cells for Mobile SoC and High Performance Computing Applications」(G. Yeap, et al., IEDM 2019)

IEDM 2019で発表されたN5プロセスのトランジスタオプションと、N7に対するエリアとスピードの比較。「5nm CMOS Production Technology Platform featuring full-fledged EUV, and High Mobility Channel FinFETs with densest 0.021μm2 SRAM cells for Mobile SoC and High Performance Computing Applications」(G. Yeap, et al., IEDM 2019)